Produsentens produktnummer:
SIA456DJ-T1-GE3
Product Overview
Produsent:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIA456DJ-T1-GE3-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 200 V 2.6A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Lager:
13305 Stk Nye Originaler På Lager
12913534
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
SIA456DJ-T1-GE3 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Vishay
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
200 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
2.6A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
Rds på (maks) @ id, vgs
1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Vgs(th) (maks) @ Id
1.4V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±16V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
350 pF @ 100 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
PowerPAK® SC-70-6
Pakke / etui
PowerPAK® SC-70-6
Base produktnummer
SIA456
Datablad og dokumenter
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
3,000
Andre navn
SIA456DJ-T1-GE3DKR
SIA456DJT1GE3
SIA456DJ-T1-GE3CT
SIA456DJ-T1-GE3TR
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
SI4874BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
IXTX400N15X4
MOSFET N-CH 150V 400A PLUS247
IRFR210TR
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
