Produsentens produktnummer:
SIA461DJ-T1-GE3
Product Overview
Produsent:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIA461DJ-T1-GE3-DG
Beskrivelse:
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Detaljert beskrivelse:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 3.4W (Ta), 17.9W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Lager:
44584 Stk Nye Originaler På Lager
12786628
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
SIA461DJ-T1-GE3 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Vishay
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produkt status
Active
FET-type
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
20 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
12A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
Rds på (maks) @ id, vgs
33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th) (maks) @ Id
1V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
45 nC @ 8 V
Vgs (maks)
±8V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
1300 pF @ 10 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
PowerPAK® SC-70-6
Pakke / etui
PowerPAK® SC-70-6
Base produktnummer
SIA461
Datablad og dokumenter
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
3,000
Andre navn
SIA461DJT1GE3
SIA461DJ-T1-GE3CT
SIA461DJ-T1-GE3DKR
SIA461DJ-T1-GE3TR
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
SIHB22N60ET5-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO263
SIS698DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 6.9A PPAK1212-8
SIHP17N60D-GE3
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
