SIA813DJ-T1-GE3
Produsentens produktnummer:

SIA813DJ-T1-GE3

Product Overview

Produsent:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIA813DJ-T1-GE3-DG

Beskrivelse:

MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Detaljert beskrivelse:
P-Channel 20 V 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

Lager:

RFQ Online
12917121
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

SIA813DJ-T1-GE3 Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Vishay
Emballasje
-
Serie
LITTLE FOOT®
Produkt status
Active
FET-type
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
20 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
4.5A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
Rds på (maks) @ id, vgs
94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (maks) @ Id
1V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
13 nC @ 8 V
Vgs (maks)
±8V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
355 pF @ 10 V
FET-funksjon
Schottky Diode (Isolated)
Strømtap (maks)
1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pakke / etui
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Base produktnummer
SIA813

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
3,000
Andre navn
SIA813DJT1GE3
SIA813DJ-T1-GE3DKR
SIA813DJ-T1-GE3CT
SIA813DJ-T1-GE3TR

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterte produkter
vishay-siliconix

SI7440DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI1307EDL-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 850MA SC70-3

vishay-siliconix

SI1013R-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A

vishay-siliconix

SI3434DV-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP