SIA936EDJ-T1-GE3
Produsentens produktnummer:

SIA936EDJ-T1-GE3

Product Overview

Produsent:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIA936EDJ-T1-GE3-DG

Beskrivelse:

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Detaljert beskrivelse:
Mosfet Array 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

Lager:

RFQ Online
12787354
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
xyxk
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

SIA936EDJ-T1-GE3 Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, FET, MOSFET-arrays
Produsent
Vishay
Emballasje
-
Serie
TrenchFET®
Produkt status
Obsolete
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurasjon
2 N-Channel (Dual)
FET-funksjon
Logic Level Gate
Tøm til kildespenning (Vdss)
20V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
4.5A
Rds på (maks) @ id, vgs
34mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (maks) @ Id
1.3V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
17nC @ 10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
-
Kraft - Maks
7.8W
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pakke med leverandørenheter
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Base produktnummer
SIA936

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
3,000
Andre navn
SIA936EDJ-T1-GE3CT
SIA936EDJ-T1-GE3DKR
SIA936EDJ-T1-GE3TR

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative modeller

DELE NUMMER
SIA906EDJ-T1-GE3
PRODUKTSELSKAP
Vishay Siliconix
ANTALL TILGJENGELIG
119578
DELER NUMMER
SIA906EDJ-T1-GE3-DG
ENHETSPRIS
0.16
ERSTATNING TYPE
MFR Recommended
DIGI Sertifisering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterte produkter
vishay-siliconix

SIA912DJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

vishay-siliconix

SQUN702E-T1_GE3

MOSFET N/P-CH 40V/200V 30A DIE

vishay-siliconix

SIZF300DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR

vishay-siliconix

SIZ980DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PWRPAIR