SIB414DK-T1-GE3
Produsentens produktnummer:

SIB414DK-T1-GE3

Product Overview

Produsent:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIB414DK-T1-GE3-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 8 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6

Lager:

12953482
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

SIB414DK-T1-GE3 Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Vishay
Emballasje
-
Serie
TrenchFET®
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
8 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
9A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
1.2V, 4.5V
Rds på (maks) @ id, vgs
26mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs(th) (maks) @ Id
1V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
14.03 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±5V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
732 pF @ 4 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
PowerPAK® SC-75-6
Pakke / etui
PowerPAK® SC-75-6
Base produktnummer
SIB414

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
3,000
Andre navn
SIB414DKT1GE3
SIB414DK-T1-GE3CT
SIB414DK-T1-GE3TR
SIB414DK-T1-GE3DKR

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
vishay-siliconix

SUP60N06-12P-E3

MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

nxp-semiconductors

NX2020N2115

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

vishay-siliconix

IRFR9010TRPBF

MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK

vishay-siliconix

IRFU214

MOSFET N-CH 250V 2.2A TO251AA