Produsentens produktnummer:
SIDR668DP-T1-GE3
Product Overview
Produsent:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIDR668DP-T1-GE3-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 100 V 23.2A (Ta), 95A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Lager:
10701 Stk Nye Originaler På Lager
12914868
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
SIDR668DP-T1-GE3 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Vishay
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
100 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
23.2A (Ta), 95A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
7.5V, 10V
Rds på (maks) @ id, vgs
4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
3.4V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
108 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
5400 pF @ 50 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
PowerPAK® SO-8DC
Pakke / etui
PowerPAK® SO-8
Base produktnummer
SIDR668
Datablad og dokumenter
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
3,000
Andre navn
SIDR668DP-T1-GE3DKR
SIDR668DP-T1-GE3TR
SIDR668DP-T1-GE3CT
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
SI1073X-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
SI7322DN-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
IRFU9220
MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA
