Produsentens produktnummer:
SIHB33N60EF-GE3
Product Overview
Produsent:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHB33N60EF-GE3-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Lager:
758 Stk Nye Originaler På Lager
12787586
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
SIHB33N60EF-GE3 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Vishay
Emballasje
Bulk
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
600 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
33A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
98mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
4V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
3454 pF @ 100 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
278W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
TO-263 (D2PAK)
Pakke / etui
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base produktnummer
SIHB33
Datablad og dokumenter
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
1,000
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
SIHG47N60AEF-GE3
MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
SIHP180N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB
SIHB24N65ET1-GE3
MOSFET N-CH 650V 24A TO263
