Produsentens produktnummer:
SIHF7N60E-GE3
Product Overview
Produsent:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHF7N60E-GE3-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Lager:
12786972
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
SIHF7N60E-GE3 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Vishay
Emballasje
Tube
Serie
E
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
600 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
7A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
4V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
680 pF @ 100 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
31W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
TO-220 Full Pack
Pakke / etui
TO-220-3 Full Pack
Base produktnummer
SIHF7
Datablad og dokumenter
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
50
Andre navn
SIHF7N60E-GE3DKR
SIHF7N60E-GE3DKR-DG
SIHF7N60E-GE3TRINACTIVE
SIHF7N60E-GE3CT
SIHF7N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHF7N60E-GE3CT-DG
SIHF7N60E-GE3TR
SIHF7N60E-GE3TR-DG
Miljø- og eksportklassifisering
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
V30406-T1-GE3
MOSFET N-CH SMD
SIR642DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
SIR188DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK
