SIHG22N60E-GE3
Produsentens produktnummer:

SIHG22N60E-GE3

Product Overview

Produsent:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIHG22N60E-GE3-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC

Lager:

498 Stk Nye Originaler På Lager
12965891
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

SIHG22N60E-GE3 Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Vishay
Emballasje
Tube
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
600 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
21A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
4V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
1920 pF @ 100 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
227W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
TO-247AC
Pakke / etui
TO-247-3
Base produktnummer
SIHG22

Datablad og dokumenter

Dataark
SIHG22N60E

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
25

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterte produkter
vishay-siliconix

SIHG24N65E-E3

MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

vishay-siliconix

SIHG73N60AEL-GE3

MOSFET N-CH 600V 69A TO247AC

vishay-siliconix

SIR172ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR158DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8