Produsentens produktnummer:
SIHH26N60EF-T1-GE3
Product Overview
Produsent:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHH26N60EF-T1-GE3-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 24A PPAK 8 X 8
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 202W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Lager:
12916623
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
SIHH26N60EF-T1-GE3 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Vishay
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
600 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
24A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
141mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
4V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
2744 pF @ 100 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
202W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
PowerPAK® 8 x 8
Pakke / etui
8-PowerTDFN
Base produktnummer
SIHH26
Datablad og dokumenter
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
3,000
Andre navn
SIHH26N60EF-T1-GE3DKR
SIHH26N60EF-T1-GE3CT
SIHH26N60EF-T1-GE3TR
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
SIHP22N60EL-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
SI7405BDN-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
SIS452DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
