Produsentens produktnummer:
SIRA10BDP-T1-GE3
Product Overview
Produsent:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIRA10BDP-T1-GE3-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 30A/60A PPAK SO8
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 30 V 30A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Lager:
12919005
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
SIRA10BDP-T1-GE3 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Vishay
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
30 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
30A (Ta), 60A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
Rds på (maks) @ id, vgs
3.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
2.4V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
36.2 nC @ 10 V
Vgs (maks)
+20V, -16V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
1710 pF @ 15 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
5W (Ta), 43W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
PowerPAK® SO-8
Pakke / etui
PowerPAK® SO-8
Base produktnummer
SIRA10
Datablad og dokumenter
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
3,000
Andre navn
SIRA10BDP-T1-GE3CT
SIRA10BDP-T1-GE3TR
SIRA10BDP-T1-GE3DKR
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
SI5415AEDU-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
SI5480DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
SIE820DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
