SIRA22DP-T1-RE3
Produsentens produktnummer:

SIRA22DP-T1-RE3

Product Overview

Produsent:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIRA22DP-T1-RE3-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 25 V 60A (Tc) 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Lager:

RFQ Online
12786085
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

SIRA22DP-T1-RE3 Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Vishay
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
25 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
60A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
Rds på (maks) @ id, vgs
0.76mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (maks)
+16V, -12V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
7570 pF @ 10 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
83.3W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
PowerPAK® SO-8
Pakke / etui
PowerPAK® SO-8
Base produktnummer
SIRA22

Datablad og dokumenter

HTML Datablad
SIRA22DP-T1-RE3-DG
Datablad
SIRA22DP-T1-RE3
Dataark
SIRA22DP SIRA22DP

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
3,000
Andre navn
SIRA22DP-T1-RE3DKR
SIRA22DP-T1-RE3TR
SIRA22DP-T1-RE3CT

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterte produkter
vishay-siliconix

SIHP18N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB

vishay-siliconix

SQD50N06-09L_GE3

MOSFET N-CH 60V 50A TO252

vishay-siliconix

SIHU6N62E-GE3

MOSFET N-CH 620V 6A IPAK

vishay-siliconix

SIRA10DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8