Produsentens produktnummer:
SIS612EDNT-T1-GE3
Product Overview
Produsent:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIS612EDNT-T1-GE3-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK1212-8S
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 20 V 50A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Lager:
12786535
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
SIS612EDNT-T1-GE3 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Vishay
Emballasje
-
Serie
TrenchFET®
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
20 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
50A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
2.5V, 4.5V
Rds på (maks) @ id, vgs
3.9mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th) (maks) @ Id
1.2V @ 1mA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±12V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
2060 pF @ 10 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
PowerPAK® 1212-8S
Pakke / etui
PowerPAK® 1212-8S
Base produktnummer
SIS612
Datablad og dokumenter
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
3,000
Andre navn
SIS612EDNT-T1-GE3-DG
SIS612EDNT-T1-GE3CT
SIS612EDNT-T1-GE3TR
SIS612EDNT-T1-GE3DKR
Q8619879
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DELE NUMMER
SISA26DN-T1-GE3
PRODUKTSELSKAP
Vishay Siliconix
ANTALL TILGJENGELIG
5682
DELER NUMMER
SISA26DN-T1-GE3-DG
ENHETSPRIS
0.25
ERSTATNING TYPE
MFR Recommended
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
SUM110P08-11-E3
MOSFET P-CH 80V 110A TO263
SIHB12N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 10.5A D2PAK
SQJ461EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8
