Produsentens produktnummer:
SISB46DN-T1-GE3
Product Overview
Produsent:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SISB46DN-T1-GE3-DG
Beskrivelse:
MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Detaljert beskrivelse:
Mosfet Array 40V 34A (Tc) 23W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Lager:
8024 Stk Nye Originaler På Lager
12917456
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
SISB46DN-T1-GE3 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, FET, MOSFET-arrays
Produsent
Vishay
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produkt status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurasjon
2 N-Channel (Dual)
FET-funksjon
-
Tøm til kildespenning (Vdss)
40V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
34A (Tc)
Rds på (maks) @ id, vgs
11.71mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
1100pF @ 20V
Kraft - Maks
23W
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
PowerPAK® 1212-8 Dual
Pakke med leverandørenheter
PowerPAK® 1212-8 Dual
Base produktnummer
SISB46
Datablad og dokumenter
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
3,000
Andre navn
SISB46DN-T1-GE3CT
SISB46DN-T1-GE3DKR
SISB46DN-T1-GE3TR
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
SQJ952EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 23A PPAK SO8
SI4565ADY-T1-E3
MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8SOIC
SIA914DJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
