Produsentens produktnummer:
SISS30LDN-T1-GE3
Product Overview
Produsent:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SISS30LDN-T1-GE3-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 80V 16A/55.5A PPAK
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 80 V 16A (Ta), 55.5A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Lager:
28881 Stk Nye Originaler På Lager
12955065
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
SISS30LDN-T1-GE3 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Vishay
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
80 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
16A (Ta), 55.5A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
Rds på (maks) @ id, vgs
8.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
2070 pF @ 40 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
PowerPAK® 1212-8S
Pakke / etui
PowerPAK® 1212-8S
Base produktnummer
SISS30
Datablad og dokumenter
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
3,000
Andre navn
SISS30LDN-T1-GE3CT
SISS30LDN-T1-GE3TR
SISS30LDN-T1-GE3DKR
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
IRF520PBF-BE3
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
TQM043NH04CR RLG
40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
SUD50N02-09P-E3
MOSFET N-CH 20V TO252
