Produsentens produktnummer:
SUD09P10-195-GE3
Product Overview
Produsent:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SUD09P10-195-GE3-DG
Beskrivelse:
MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Detaljert beskrivelse:
P-Channel 100 V 8.8A (Tc) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Lager:
30863 Stk Nye Originaler På Lager
12918447
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
SUD09P10-195-GE3 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Vishay
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produkt status
Active
FET-type
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
100 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
8.8A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
Rds på (maks) @ id, vgs
195mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
34.8 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
1055 pF @ 50 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
TO-252AA
Pakke / etui
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base produktnummer
SUD09
Datablad og dokumenter
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
2,000
Andre navn
SUD09P10-195-GE3CT
SUD09P10-195-GE3TR
SUD09P10195GE3
SUD09P10-195-GE3DKR
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
SI3434DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
SQJ414EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
SQJA80EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
