SIHD14N60E-GE3
Produsentens produktnummer:

SIHD14N60E-GE3

Product Overview

Produsent:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIHD14N60E-GE3-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount DPAK

Lager:

1269 Stk Nye Originaler På Lager
13005966
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

SIHD14N60E-GE3 Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Vishay
Emballasje
Tube
Serie
E
Emballasje
Tube
Del Status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
600 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
13A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
309mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
4V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
1205 pF @ 100 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
147W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
DPAK
Pakke / etui
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base produktnummer
SIHD14

Datablad og dokumenter

DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
vishay

SQJ464EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8

vishay

VS-FB180SA10P

MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227

vishay

SUM110P08-11L-E3

MOSFET P-CH 80V 110A TO263

vishay

SIR186DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8