SIJ420DP-T1-GE3
Produsentens produktnummer:

SIJ420DP-T1-GE3

Product Overview

Produsent:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIJ420DP-T1-GE3-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 20 V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Lager:

RFQ Online
13063245
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

SIJ420DP-T1-GE3 Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Vishay
Emballasje
-
Serie
TrenchFET®
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Del Status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
20 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
50A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
Rds på (maks) @ id, vgs
2.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
2.4V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
3630 pF @ 10 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
4.8W (Ta), 62.5W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
PowerPAK® SO-8
Pakke / etui
PowerPAK® SO-8
Base produktnummer
SIJ420

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
3,000
Andre navn
SIJ420DP-T1-GE3CT
SIJ420DP-T1-GE3TR
SIJ420DPT1GE3
SIJ420DP-T1-GE3DKR

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterte produkter
vishay

SIHB17N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK

vishay

SISS22DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK

vishay

SISS23DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

infineon-technologies

BSS138W L6433

MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3