Produsentens produktnummer:
RUS100N02TB
Product Overview
Produsent:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
RUS100N02TB-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 20 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Lager:
138 Stk Nye Originaler På Lager
13527495
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
1FTL
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
RUS100N02TB Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
ROHM Semiconductor
Emballasje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
20 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
10A (Ta)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
1.5V, 4.5V
Rds på (maks) @ id, vgs
12mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (maks) @ Id
1V @ 1mA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
2250 pF @ 10 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
2W (Ta)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
8-SOP
Pakke / etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base produktnummer
RUS100
Datablad og dokumenter
Dataark
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
2,500
Andre navn
RUS100N02TBDKR
RUS100N02TBCT
RUS100N02TBTR
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DELE NUMMER
DMN2009LSS-13
PRODUKTSELSKAP
Diodes Incorporated
ANTALL TILGJENGELIG
1816
DELER NUMMER
DMN2009LSS-13-DG
ENHETSPRIS
0.22
ERSTATNING TYPE
Similar
DELE NUMMER
RS3E135BNGZETB
PRODUKTSELSKAP
Rohm Semiconductor
ANTALL TILGJENGELIG
2565
DELER NUMMER
RS3E135BNGZETB-DG
ENHETSPRIS
0.36
ERSTATNING TYPE
Similar
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
RCX200N20
MOSFET N-CH 200V 20A TO220FM
RV2C010UNT2L
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
SCT3105KLGC11
SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
