SIHW47N60E-GE3
Produsentens produktnummer:

SIHW47N60E-GE3

Product Overview

Produsent:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIHW47N60E-GE3-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247AD

Lager:

106 Stk Nye Originaler På Lager
12787585
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

SIHW47N60E-GE3 Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Vishay
Emballasje
Tube
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
600 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
47A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
64mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
4V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
9620 pF @ 100 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
357W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
TO-247AD
Pakke / etui
TO-3P-3 Full Pack
Base produktnummer
SIHW47

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
30
Andre navn
2266-SIHW47N60E-GE3
SIHW47N60E-GE3CT-DG
SIHW47N60E-GE3CT

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterte produkter
vishay-siliconix

SIHB33N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK

vishay-siliconix

SIHG47N60AEF-GE3

MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC

vishay-siliconix

SIHP180N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB

vishay-siliconix

SIHB24N65ET1-GE3

MOSFET N-CH 650V 24A TO263